開(kai)關電源作為運用于開(kai)關狀況(kuang)的能量(liang)轉化(hua)設(she)備，開(kai)關電源的電壓、電流(liu)改變率很高，所(suo)以產生的干擾強度也比較大。
干(gan)擾(rao)(rao)源(yuan)主(zhu)要(yao)會集在功率(lv)開關期(qi)間以及與之相連的散(san)熱器和高平變壓器，相關于數(shu)字電路干(gan)擾(rao)(rao)源(yuan)的方(fang)位較(jiao)為(wei)清楚。開關頻率(lv)不(bu)高（從幾十千赫(he)(he)和數(shu)兆(zhao)赫(he)(he)茲），主(zhu)要(yao)的干(gan)擾(rao)(rao)形(xing)式是(shi)傳(chuan)導干(gan)擾(rao)(rao)和近(jin)場(chang)(chang)干(gan)擾(rao)(rao)。而印刷線路板（PCB）走線通(tong)常選用手工布線，具有**的隨意(yi)性，這增加了 PCB 散(san)布參(can)數(shu)的提(ti)取和近(jin)場(chang)(chang) 干(gan)擾(rao)(rao)估(gu)量的難度。
1MHZ 以內：以差模(mo)干擾(rao)為主，增(zeng)大 X 電容(rong)就可處理(li)；
1MHZ—5MHZ：差模共模混合，選用輸入端并(bing)(bing)一系列X電容來濾除差摸干(gan)擾并(bing)(bing)分析(xi)出(chu)是哪(na)種干(gan)擾超支并(bing)(bing)處理(li);
5M：以上以共(gong)摸(mo)干擾(rao)為(wei)主，選用抑(yi)制共(gong)摸(mo)的(de)辦法。關于外殼(ke)接地(di)的(de)，在地(di)線(xian)上用一個磁盤繞(rao)2圈(quan)會對10MHZ以上干擾(rao)有較大的(de)衰減（diudiu2006）;
關于25--30MHZ不過能夠選用加(jia)大(da)對(dui)地(di)Y電容(rong)、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸(shu)出線前面接一(yi)個雙線并繞(rao)的小磁環(huan)，最少(shao)繞(rao)10圈、在輸(shu)出整流(liu)管兩頭并 RC 濾波器。
30—50MHZ：遍及(ji)是 MOS 管(guan)高速注冊關(guan)斷引起，能夠用增大MOS驅動電阻，RCD緩沖電路(lu)選用 1N4007慢管(guan)，VCC供電電壓用 1N4007慢管(guan)來處理。
100—200MHZ：遍及是輸出整流管(guan)反向恢復(fu)電流引起，能夠在(zai)整流管(guan)上串磁珠
100MHz—200MHz：之(zhi)間大部分出于 PFCMOSFET及PFC二(er)極管，現在MOSFET及PFC二(er)極管串磁珠有作(zuo)用，水平(ping)方(fang)向基(ji)本能夠處理問(wen)題，但筆(bi)直方(fang)向就沒辦法(fa)了。
開關電源的輻(fu)射一般只會影響到 100M 以(yi)下(xia)的頻段(duan)。也能夠在 MOS，二極管上加相(xiang)應吸收回路，但(dan)效率會有所下(xia)降。
設計開關電源時防止 EMI 的(de)措施(shi)
1.把噪音(yin)電路節點(dian)的(de) PCB 銅箔(bo)面積(ji)**極限地減小(xiao);如開關管的(de)漏(lou)極、集電極，初(chu)次(ci)級(ji)繞組的(de)節點(dian)，等。
2.使輸(shu)入和輸(shu)出端遠離噪音元(yuan)件，如變壓器線包，變壓器磁(ci)芯，開關(guan)管(guan)的散熱片，等(deng)等(deng)。
3.使(shi)噪音(yin)元件（如未(wei)遮蓋的(de)變壓(ya)器線(xian)包(bao)，未(wei)遮蓋的(de)變壓(ya)器磁(ci)芯，和開關管，等等）遠(yuan)離(li)外(wai)(wai)殼(ke)邊(bian)際(ji)，因為在正常(chang)操作下外(wai)(wai)殼(ke)邊(bian)際(ji)很(hen)可能靠近外(wai)(wai)面的(de)接地線(xian)。
4.如果變壓(ya)器(qi)沒有運用電場屏(ping)蔽，要(yao)堅持屏(ping)蔽體和散熱片遠離變壓(ya)器(qi)。
5.盡(jin)量(liang)減小以下電流(liu)環的面積：次級（輸出）整(zheng)流(liu)器(qi)，初級開關功率器(qi)材，柵極（基(ji)極）驅動線路，輔佐整(zheng)流(liu)器(qi)。
6.不要將門極(ji)（基(ji)極(ji)）的驅動返饋環(huan)路(lu)和(he)初級開(kai)關電路(lu)或輔佐(zuo)整流電路(lu)混在一同。
7.調整優(you)化阻尼電阻值，使它在開關(guan)的(de)死區時間里(li)不產生振鈴響聲。
8.防止 EMI 濾波電(dian)感飽滿(man)。
9.使拐(guai)彎節點和次級(ji)電路的元件遠離初級(ji)電路的屏蔽體或許(xu)開關管的散熱片。
10.堅(jian)持(chi)初級電(dian)路(lu)的擺(bai)動(dong)的節點(dian)和元(yuan)件本體遠離屏蔽或許散熱片。
11.使高頻輸入的 EMI 濾波器靠近輸入電纜(lan)或許連接器端(duan)。
12.堅持高頻輸出的(de) EMI 濾波(bo)器靠近(jin)輸出電線端(duan)子。
13.使 EMI 濾波器對(dui)面的 PCB 板的銅箔和(he)元(yuan)件本體之間(jian)堅持一定距離。
14.在(zai)輔佐線圈的(de)整(zheng)流器的(de)線路上放一(yi)些電阻(zu)。
15.在磁棒線(xian)圈上并聯阻尼電(dian)阻。
16.在輸出 RF 濾波器兩頭并聯阻尼電阻。
17.在(zai) PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷(ci)電(dian)容器(qi)或許(xu)還能夠是(shi)一串(chuan)電(dian)阻，跨(kua)接在(zai)變(bian)壓器(qi)的初級的靜端和輔佐繞組之間。
18.堅持 EMI 濾波器遠(yuan)離功率變壓器;尤其是(shi)防(fang)止(zhi)定位在繞包的端部。
19.在 PCB 面積滿足的(de)(de)情(qing)況下，可(ke)在 PCB 上留下放屏(ping)蔽繞組用(yong)的(de)(de)腳(jiao)位(wei)和(he)放 RC 阻尼器的(de)(de)方位(wei)，RC 阻尼器可(ke)跨接在屏(ping)蔽繞組兩(liang)頭。
20.空間答應(ying)的話(hua)在開關功率(lv)場效(xiao)應(ying)管的漏極和門極之間放一(yi)個小徑向引線電容(rong)器（米勒電容(rong)，10 皮法/1 千伏電容(rong)）。
21.空間答應的話放一個(ge)小的 RC 阻尼器在直(zhi)流輸出(chu)端(duan)。
22.不(bu)要把 AC 插座與(yu)初級開關管(guan)的(de)散熱片靠在一同。
