開關(guan)電(dian)源(yuan)作為運(yun)用于開關(guan)狀況的(de)能量轉化設備，開關(guan)電(dian)源(yuan)的(de)電(dian)壓(ya)、電(dian)流改變率(lv)很高，所以產生的(de)干擾強度也比較大。
干(gan)(gan)擾源主要(yao)會集(ji)在功率(lv)開關(guan)期間以及與(yu)之(zhi)相(xiang)連(lian)的散(san)熱器和高(gao)平變壓器，相(xiang)關(guan)于(yu)數字電路干(gan)(gan)擾源的方位較為清楚。開關(guan)頻率(lv)不高(gao)（從幾十千赫和數兆赫茲），主要(yao)的干(gan)(gan)擾形式是傳導干(gan)(gan)擾和近(jin)(jin)場干(gan)(gan)擾。而印刷線(xian)路板（PCB）走線(xian)通常(chang)選用手(shou)工布線(xian)，具有**的隨意性，這增加了 PCB 散(san)布參(can)數的提取和近(jin)(jin)場 干(gan)(gan)擾估量的難度。
1MHZ 以內：以差模干擾為主，增大 X 電容就可處理；
1MHZ—5MHZ：差(cha)模(mo)共(gong)模(mo)混合(he)，選用輸入端并一系列(lie)X電容來濾除(chu)差(cha)摸干擾并分析(xi)出是哪種干擾超支并處理;
5M：以(yi)上以(yi)共摸(mo)干擾(rao)為主，選用抑制(zhi)共摸(mo)的(de)(de)辦法。關于外殼接(jie)地(di)的(de)(de)，在地(di)線(xian)上用一個磁盤(pan)繞2圈會對10MHZ以(yi)上干擾(rao)有較大的(de)(de)衰(shuai)減（diudiu2006）;
關于25--30MHZ不過能夠選用加大對地Y電(dian)容(rong)、在變壓(ya)器外面(mian)包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線前面(mian)接一個雙線并(bing)繞的小磁環，最少繞10圈、在輸出整(zheng)流管兩頭并(bing) RC 濾波(bo)器。
30—50MHZ：遍及是 MOS 管高速注(zhu)冊(ce)關斷引(yin)起，能夠用(yong)增大MOS驅動電(dian)阻，RCD緩(huan)沖電(dian)路選用(yong) 1N4007慢管，VCC供(gong)電(dian)電(dian)壓用(yong) 1N4007慢管來處(chu)理。
100—200MHZ：遍及是輸出(chu)整流(liu)(liu)管反向(xiang)恢復電流(liu)(liu)引起，能夠在整流(liu)(liu)管上串磁珠
100MHz—200MHz：之間(jian)大部分出(chu)于 PFCMOSFET及(ji)PFC二(er)極(ji)管，現(xian)在(zai)MOSFET及(ji)PFC二(er)極(ji)管串磁珠有作用(yong)，水(shui)平方(fang)向基本能夠處理問題，但筆直方(fang)向就沒(mei)辦法了(le)。
開(kai)關電源的(de)輻射一般只會影響到 100M 以(yi)下(xia)的(de)頻段。也能夠在 MOS，二極管上加相(xiang)應吸收回路(lu)，但效(xiao)率會有所下(xia)降。
設計開關(guan)電源時(shi)防(fang)止 EMI 的(de)措施
1.把噪音電(dian)路(lu)節點的(de) PCB 銅箔(bo)面積**極限地減(jian)小;如開關管的(de)漏極、集電(dian)極，初次級繞組的(de)節點，等(deng)。
2.使輸(shu)入(ru)和(he)輸(shu)出端遠離噪音(yin)元(yuan)件，如變壓器線包，變壓器磁(ci)芯(xin)，開關(guan)管的散(san)熱片，等(deng)等(deng)。
3.使噪音(yin)元件（如未遮蓋(gai)的(de)變壓(ya)器線包，未遮蓋(gai)的(de)變壓(ya)器磁(ci)芯，和(he)開關(guan)管(guan)，等(deng)等(deng)）遠離外殼邊際，因為在(zai)正常操(cao)作下外殼邊際很可能靠近(jin)外面的(de)接地線。
4.如果變壓(ya)器(qi)沒有運用電場屏蔽，要堅持屏蔽體和散(san)熱片遠離變壓(ya)器(qi)。
5.盡量減小以下電(dian)流環的面積：次(ci)級（輸出）整流器(qi)(qi)，初級開關功率(lv)器(qi)(qi)材，柵(zha)極（基(ji)極）驅動線路，輔(fu)佐整流器(qi)(qi)。
6.不要將門極（基極）的驅(qu)動(dong)返饋(kui)環路和初級開(kai)關電路或(huo)輔佐整流電路混在一同(tong)。
7.調整優化阻尼(ni)電阻值，使它在開關的死區時間里不產生(sheng)振鈴響聲。
8.防止(zhi) EMI 濾波電感飽滿。
9.使(shi)拐彎節(jie)點(dian)和次級電路(lu)的元件遠離初級電路(lu)的屏蔽(bi)體或許開關管的散熱片。
10.堅持初級電路的擺動的節點和元件本體遠離屏蔽或許散熱(re)片。
11.使高頻輸(shu)入的 EMI 濾波器靠近輸(shu)入電纜或許連接器端(duan)。
12.堅持(chi)高頻輸(shu)出的 EMI 濾(lv)波(bo)器靠近輸(shu)出電線端(duan)子。
13.使 EMI 濾波器(qi)對(dui)面(mian)的 PCB 板的銅(tong)箔和元件本體(ti)之間堅持一定距離(li)。
14.在輔佐線圈的整流(liu)器的線路上放一些電(dian)阻。
15.在磁棒(bang)線(xian)圈上并聯(lian)阻尼電阻。
16.在輸出 RF 濾(lv)波器兩(liang)頭并聯阻(zu)尼電阻(zu)。
17.在 PCB 設計(ji)時答應放 1nF/500V 陶瓷(ci)電(dian)容器或(huo)許(xu)還能夠是一串電(dian)阻，跨接在變壓器的(de)初(chu)級的(de)靜端和輔(fu)佐(zuo)繞組之間。
18.堅持 EMI 濾波(bo)器遠離(li)功率變壓器;尤其(qi)是防止定位在繞(rao)包的(de)端(duan)部。
19.在 PCB 面積滿足的(de)情況下，可在 PCB 上留下放屏蔽(bi)繞組用的(de)腳位和放 RC 阻尼器的(de)方位，RC 阻尼器可跨接在屏蔽(bi)繞組兩頭。
20.空間答應的(de)話在開(kai)關功率場效應管的(de)漏極和門極之間放一個小徑向引線電(dian)容(rong)器（米(mi)勒(le)電(dian)容(rong)，10 皮法/1 千伏電(dian)容(rong)）。
21.空(kong)間答應的話(hua)放一個小的 RC 阻(zu)尼器在直流輸出端。
22.不(bu)要把 AC 插座與初級(ji)開關管(guan)的散(san)熱(re)片(pian)靠在一同。
